二维纳米材料

新颖二维纳米材料具备独特的形貌和优异的物性特征,晶体生长的高度各向异性使得其厚度往往仅为几个纳米,在电子、传感、催化及能量储存与转换领域都有着广泛的应用前景。而其中,石墨烯碳材料不仅拥有单分子层厚度, 其C-C键的高度稳定性及多样性使得其问世以来就受到了各界的广泛关注。本课题组致力于探索低维碳纳米材料的合成、修饰及组装方法,控制其形貌、结构及几何图样,应用于纳米电子及能源储存器件研究中。主要开发了多种类型的化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition; CVD)在不同的基底上生长石墨烯及碳纳米管薄片(Nano lett, 2010, 10, 1542-1548,);突破性直接在SiO2基底上生长石墨烯纳米带,不仅直径、长度和沉积位置可控,其载流子迁移率更超过1000 cm2/V.s, 远胜于之前的各相关报道(Nano let, 2012,12, 6175-6179,);此外,我们也研究了包括SiC 热处理、液相石墨剥离、氧化石墨烯还原、等离子体辅助CVD法等多种材料合成、修饰及组装技术。

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